個(gè)人簡(jiǎn)歷 中國科學(xué)院院士，微電子學(xué)專家，微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士生導(dǎo)師。安徽省阜陽人，1958年3月生于重慶市，1982年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，1991年在西安交通大學(xué)計(jì)算數(shù)學(xué)專業(yè)獲博士學(xué)位。九三學(xué)社第十四屆中央委員會(huì)常委和九三學(xué)社陜西省委主委、中國電子學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)、國際IEEE學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員。
郝躍院士是國家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)“核心電子器件、高端通用芯片和基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”科技重大專項(xiàng)實(shí)施專家組組長(zhǎng)，國務(wù)院第七屆學(xué)科評(píng)議組（電子科學(xué)與技術(shù)一級(jí)學(xué)科）召集人，國家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息科學(xué)部主任，高等院校電子信息類專業(yè)教學(xué)指導(dǎo)委員會(huì)主任委，教育部科技委委員，國家重大基礎(chǔ)研究計(jì)劃（973計(jì)劃）項(xiàng)目首席科學(xué)家，陜西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)副主席，微電子技術(shù)領(lǐng)域的著名專家。他是第九、第十、第十三屆全國政協(xié)委員和第十一屆全國人大代表。2013年11月當(dāng)選中國科學(xué)院院士。
郝躍院士長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
主要研究方向 1.寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件 2.微納半導(dǎo)體新器件及其可靠性
3.SoC設(shè)計(jì)與設(shè)計(jì)方法學(xué)
教學(xué)與科研成果 成果獲得國家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等1項(xiàng)（2009年），國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等2項(xiàng)（2008年、2015年），國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)三等1項(xiàng)（1998年）；國家級(jí)教學(xué)成果一等獎(jiǎng)1項(xiàng)（2018年）和國家級(jí)教學(xué)成果二等獎(jiǎng)1項(xiàng)（2014年）；獲得國家發(fā)明專利授權(quán)近百項(xiàng)；出版《氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件》、《碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)》、《集成電路制造動(dòng)力學(xué)理論與方法》和《微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理》、《NITRIDE WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ELECTRONIC DEVICES》等多部著作，在國內(nèi)外著名期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文500余篇；2010年榮獲“何梁何利”科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)。
校內(nèi)單位：微電子學(xué)院 辦公地點(diǎn)：北校區(qū)東大樓二層
辦公電話：029-88202207 E-mail：yhao@xidian.edu.cn
教師主頁：https://faculty.xidian.edu.cn/HY2/zh_CN/index.htm
人物訪談：http://m.chengxinhui.cn/info/1119/3723.htm
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