“既然選擇了做科研，就要瞄準國家重大需求，腳踏實地，擇善而固執(zhí)?！?019年度陜西省最高科學(xué)技術(shù)獎獲得者、中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)學(xué)術(shù)委員會主任郝躍表示。
郝躍1982年畢業(yè)于西北電訊工程學(xué)院（西安電子科技大學(xué)前身），1998年獲國家科技進步獎三等獎，2008年和2009年分獲國家科技進步獎二等獎和國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎，2010年獲“何梁何利”科學(xué)與技術(shù)進步獎，2013年當選中國科學(xué)院院士，2015年再獲國家科技進步獎二等獎。2019年他的團隊獲得了國家科技進步獎一等獎。
他以自身經(jīng)歷，詮釋了科學(xué)家的責任與擔當。
“微電子不微?！边@是郝躍常說的一句話。隨著信息科技的發(fā)展，以集成電路芯片為核心的微電子技術(shù)，不僅與我們的生活息息相關(guān)，更是國家核心競爭力的體現(xiàn)。新型氮化物半導(dǎo)體國際上稱為第三代材料，又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。氮化物半導(dǎo)體器件在通信、電力系統(tǒng)、照明、生物、醫(yī)療，以及軍事領(lǐng)域具有十分廣泛的應(yīng)用前景。
2004年，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點實驗室掛牌，這個專門的機構(gòu)為更深入地進行科學(xué)研究提供了有力支撐；2005年前后，國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始發(fā)展之時，西安電子科技大學(xué)的寬禁帶半導(dǎo)體研究已經(jīng)有了深厚的積累，出版了國內(nèi)最早探討寬禁帶半導(dǎo)體的專著《碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)》；2007年，寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國家重點學(xué)科實驗室獲批；2019年，國家工程研究中心建設(shè)獲批。
如今，以郝躍為學(xué)術(shù)帶頭人的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國家重點學(xué)科實驗室，已成為國內(nèi)外寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件科學(xué)研究、人才培養(yǎng)、學(xué)術(shù)交流、成果轉(zhuǎn)化方面的重要基地，引領(lǐng)我國寬禁帶半導(dǎo)體研究自主發(fā)展，服務(wù)產(chǎn)業(yè)工程應(yīng)用。
“我們要相信自身的實力，我們的目標還在更高更遠處！”郝躍經(jīng)常這樣勉勵團隊成員。目前，郝躍及其團隊依然在為更低能耗、更優(yōu)性能的半導(dǎo)體器件與集成電路芯片發(fā)展而不懈奮斗。
（文/陜西日報社·張 梅）
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