三是滿足人民強烈的物質和精神生活需求。今天，每個人都離不開手機、電腦，以及互聯(lián)網等，這些不同的產品都有共同的支撐，那就是芯片。可以說，凡是與我們生活密切相關的電子產品，大都離不開微電子技術的發(fā)展和應用。
四是微電子技術使我們的國防變得更加強大。從裝備層面講，國家國防依靠的就是高端電子裝備，比如衛(wèi)星、導彈、雷達，以及航空母艦、核潛艇、預警機等等，這些裝備的生產都離不開微電子技術的進步?？梢哉f，正是微電子技術使得我們的國防變得更加強大，它功不可沒。
以上四點是我們對微電子技術的傳統(tǒng)認識，不過今年6月份以來，世界各國關注的美國棱鏡事件曝光，大家對微電子技術的認識又上升到了一個新的高度，這就是國家安全。
我們突然發(fā)現，誰掌握了我們的芯片，誰掌握了我們的軟件，誰就掌握了我們的信息空間，就在相當程度上掌控了我們。信息空間雖然呈現為多維的、抽象的、不可見的，但卻實實在在地影響著我們的生活，它比一個實體空間更重要，人們在這個空間一旦失去自由，就惶惶不可終日，沒有安全感。過去我們對賽博空間(Cyberspace)沒有強烈的概念，這次的棱鏡事件對全世界人民都有了一個現實的和直接的感受。
《西電科大報》：郝教授，剛才談到您從事的微電子學研究領域，能否說說您的研究工作歷程？
郝躍：留校工作以后，我一直在微電子領域做研究，先后做了下面這些事情：最開始是集成電路芯片設計和研制，我們從低頻低噪聲運算放大器做起，這個項目獲得過電子部的科技進步一等獎 （1987年），這個時間大概不到10年；后來我開始研究半導體器件的可靠性和集成電路的可制造性，重點轉向對半導體器件的機理和設計方法學的研究，獲得的第一個國家科技進步獎（1998年）就是在這個領域。上世紀90年代后期，從國家的急需和國際半導體科技發(fā)展兩方面，我們開始轉向重點研究第三代半導體材料和器件，也就是寬禁帶半導體材料和器件的研究?！皩捊麕О雽w”和“寬帶隙半導體”意思是一樣的，所以我們實驗室的名稱就叫 “寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室”，同時也是 “寬帶隙半導體技術國防重點學科實驗室”。
我在寬禁帶半導體方面主要是研究低缺陷高質量的氮化物半導體材料生長方法及材料生長機理，氮化物微波毫米波器件與單片集成電路,微波和毫米波的波段從通信到雷達，這些器件在寬帶通信和國防信息化裝備方面有重要需求，最近我們的太赫茲器件研究有了很好的進展，并且在國際上有了重要的影響。另外，我們的氮化物短波長LED研究也很有特色，2000年左右研究藍光發(fā)光器件，現在的重點研究紫外和深紫外的LED器件，并且開始得到了規(guī)?；瘧谩５锇说?、氮化鋁、氮化銦等材料，氮化物材料可以是二元化合物，也可以構成三元、甚至四元化合物材料，不同結構的材料性能有很大差異，研究非常有趣，在這個未知的世界里，你的想象是可以翱翔的?？傊?，我的研究工作還是比較基礎性的，同時這些材料都有很好的應用背景和市場潛力。
《西電科大報》：請詳細介紹一下三代半導體技術，以及他們在不同時期的發(fā)展及應用情況？
郝躍：這里先明確一個概念，我們之所以對半導體分一代、二代、三代，不是按材料重要性來劃分那一代材料，主要是從它產生的時間來說的。因此，從時間上說，半導體材料發(fā)展到今天，基本上被分為了三代。
第一代半導體材料主要以硅、鍺為主。20世紀50年代，鍺在半導體中占主導地位，主要應用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測器中，但鍺半導體器件的耐高溫和抗輻射性能較差，到60年代后期逐漸被硅器件所取代。用硅材料制造的半導體器件，耐高溫和抗輻射性能較好。此外，硅由于其含量極其豐富，提純與結晶方便，二氧化硅薄膜的純度很高，絕緣性能很好，這使器件的穩(wěn)定性與可靠性大為提高。因此，硅已成為應用最多的一種半導體材料。因此可以說，我們所用的電子產品幾乎90%都是基于硅材料的，集成電路的99％都是用硅半導體材料制造的。以硅為基礎的半導體工業(yè)，創(chuàng)造了一個全新的信息時代，我們已經生活在“硅時代”。今天，全世界半導體產業(yè)總共有3000億美金的產值，其中1900億美金以上的市場都在中國。據海關統(tǒng)計，最近幾年我們進口的半導體芯片總值是第一位的，超過了石油的進口總值。
第二代半導體材料主要以砷化鎵、磷化銦為主。20世紀90年代以來，隨著移動通信的飛速發(fā)展、以光纖通信為基礎的信息高速公路和互聯(lián)網的興起，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導體材料開始嶄露頭角。砷化鎵、磷化銦等材料適用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，被廣泛應用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光通信、GPS導航等領域。
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